第1页：第2章习题（2）全控器件填空题
第2章习题（2）
第1部分：填空题
- GTO的结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
- GTO的开通控制方式与晶闸管相似，但是可以通过在门极使其关断。
- GTO导通过程与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度,导通时管压降。
- GTO最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值IGM之比称为,该值一般很小，只有左右，这是GTO的一个主要缺点。
- GTR导通的条件是：且。
- 在电力电子电路中GTR工作在开关状态,在开关过程中，在区和区之间过渡时，要经过放大区。
- 电力MOSFET导通的条件是：且。
- 电力MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的、前者的饱和区对应后者的、前者的非饱和区对应后者的。
- 电力MOSFET的通态电阻具有温度系数。
- IGBT是由和两类器件取长补短结合而成的复合器件。
- IGBT导通的条件是：且。
- IGBT的输出特性分为三个区域，分别是：区，区和区。IGBT的开关过程，是在区和区之间切换。
- IGCT由和两类器件结合而成的复合器件，目前正在与IGBT等新型器件激烈竞争，试图最终取代在大功率场合的位置。
- 将多个电力电子器件封装在一个模块中，称为。
- 与单管器件相比，功率模块的优点是：、。
- 功率集成电路将功率器件与等信息电子电路制作在同一芯片上。
- 功率集成电路实现了和的集成，成为机电一体化的理想接口。
- 按照载流子参与导电的情况,，可将电力电子器件分为:、和三类。
- 在如下器件：电力二极管（PowerDiode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是，属于半控型器件的是，属于全控型器件的是,
第2页：第2章习题（2）器件分类与简答
属于单极型电力电子器件的有,属于双极型器件的有,属于复合型电力电子器件得有,在可控的器件中，容量最大的是,工作频率最高的是,属于电压驱动的是,属于电流驱动的是。
- 画出下面电力电子器件的电气符号。电力二极管晶闸管GTOGTRIGBT电力场效应管
第2部分：简答题
- GTO和普通晶闸管同为PNPN结构，为什么GTO能够自关断，而普通晶闸管不能？
- 试说明IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。
