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02 项目2 单片机硬件系统.pptx

页数:32页文件大小:615.3 KB来源: 单片机原理及应用ppt课件

本课件从应用角度讲解MCS-51的硬件结构:先给出8051内部组成与引脚封装,再拆解CPU中的运算器与控制器,接着说明时钟与时序、机器周期与指令周期、复位电路与复位后寄存器状态,最后讲清哈佛结构的存储器划分与P0至P3四个并行口。

项目2 单片机硬件系统封面页,标示本章围绕MCS-51硬件结构、存储器与并行I/O口展开
项目2教学目标页,要求熟练掌握MCS-51硬件结构、存储器、并行I/O口与最小系统
8051单片机基本结构讲解页,说明CPU、RAM、ROM与I/O口通过内部总线相连并由SFR集中控制
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第1页:项目2 单片机硬件系统封面

项目2「单片机硬件系统」从应用角度讲解MCS-51系列单片机的硬件结构,为后续设计打下基础。

  • MCS-51单片机的基本结构与引脚
  • 微处理器、时钟与时序、复位电路
  • 存储器结构与并行I/O端口
  • 单片机最小系统

第2页:项目2 教学目标

通过本项目学习,要求学生从应用的角度熟练掌握MCS-51系列单片机的硬件结构,为后面的设计打下基础。

  • MCS-51单片机的基本结构
  • 存储器的结构
  • 4个并行I/O端口
  • 时钟电路、复位电路以及最小系统

第3页:8051单片机的基本结构

2.1.1 8051单片机的基本结构:MCS-51单片机内部包括CPU(进行运算、控制)、RAM(数据存储器)、ROM(程序存储器)、I/O口(串口、并口)、内部总线和中断系统等,基本结构框图如图2-3所示。

  • 内部各部件通过内部总线连接,采用CPU加外围芯片的结构模式
  • 功能单元控制上采用特殊功能寄存器集中控制的方式,便于用户编程

第4页:图2-3 8051单片机的内部结构

图2-3 8051单片机的内部结构:图中给出CPU、RAM、ROM、I/O口、内部总线与中断系统等部件的连接关系,是理解单片机硬件组成的核心框图。

第5页:8051单片机的引脚及其功能

2.1.2 8051单片机的引脚及其功能:图2-4为MCS-51芯片40引脚(DIP型)封装,图2-5为MCS-51芯片44引脚(PLCC型)封装。

第6页:2.2 单片机的内部结构

2.2 单片机的内部结构:本节讲解指令的执行过程、8051的微处理器(运算器与控制器)组成,以及各控制寄存器的作用。

第7页:指令的执行过程

指令的执行过程分为三步:

  • 1)取指令
  • 2)指令译码
  • 3)指令执行

第8页:8051的微处理器与运算器

作为8051单片机核心部分的微处理器是一个8位的高性能中央处理器(CPU),其性能直接影响单片机的整体性能,主要由运算器、控制器(时序控制逻辑电路)、布尔处理器等组成。

运算器
用于算术运算和逻辑运算,包括8位算术逻辑运算单元ALU、8位累加器A、8位寄存器B、程序状态字寄存器PSW、布尔处理器、两个8位暂存寄存器TMP1和TMP2等。
累加器ACC
又记作A,是一个8位的寄存器。
程序状态字PSW
8位寄存器,用于存放程序运行的状态信息以及运算结果的标志,又称标志寄存器。

第9页:控制器与程序计数器PC、数据指针DPTR

控制器是单片机的指挥控制部件,由程序计数器PC、数据指针DPTR、堆栈指针SP、指令寄存器IR、指令译码器ID、中断控制、串行口控制及定时与控制电路等组成。

程序计数器(PC)
16位寄存器,其内容是下一条将要执行的指令代码的起始存放地址,寻址范围为64KB。
数据指针(DPTR)
16位特殊功能寄存器,是MCS-51单片机中惟一的16位寄存器;既可按16位使用,也可按两个8位寄存器分开使用。

第10页:堆栈指针、指令寄存器与中断串行口控制

堆栈指针SP
8位寄存器,可自动加1减1,用来存放堆栈的栈顶地址,指示堆栈顶部在内部RAM中的位置;系统复位后SP初始值为07H,堆栈实际从08H开始。子程序调用或中断时先把PC值压入堆栈保存,返回时再回送到PC。
指令寄存器IR
存放指令代码;CPU执行指令时从程序存储器读取指令代码送入IR,经译码器译码后由定时与控制部分发出相应控制信号完成指令功能。

中断控制电路主要包括定时器控制寄存器TCON、串行口控制寄存器SCON、中断允许控制器IE、中断优先级控制寄存器IP;串行口控制电路主要包括串行控制寄存器SCON、串行缓冲寄存器SBUF等,定时器在TCON和TMOD控制下可作定时器或计数器使用。

第11页:单片机时钟与时序概述

2.2.2 单片机的时钟与时序:单片机的工作过程是取一条指令、译码、进行微操作,再取下一条指令,依序完成指令规定的功能。各指令微操作在时间上的严格次序称作时序。

  • 时钟信号为片内各种微操作提供时间基准
  • 时钟产生方式:内部时钟方式、外部时钟方式

第12页:内部时钟方式

1)内部时钟方式:8051片内设有一个由反相放大器构成的振荡电路,只要在XTAL1和XTAL2引脚上外接定时元件,内部振荡电路就产生自激振荡。电路如图2-7所示。

  • 定时元件通常采用石英晶体和电容组成的并联谐振回路,安装时应尽可能靠近XTAL1和XTAL2引脚
  • 石英晶体频率范围1.2~12MHz,典型值为6MHz和12MHz
  • 电容C1、C2取值在5—30pF之间选择,常用30pF,可起频率微调作用

第13页:外部时钟方式

2)外部时钟方式:把外部已有的时钟信号引入到单片机内,常用于多单片机系统中以便各单片机时钟信号同步。对外部振荡信号无特殊要求:高低电平持续时间大于20ns、频率低于12MHz的方波信号。

  • 8051(HMOS):XTAL1接地,XTAL2接外部振荡器;因XTAL2电平与TTL不兼容,应接一个5.1KΩ上拉电阻,见图2-8(a)
  • 80C51(CHMOS):外部时钟必须从XTAL1端引入,XTAL2端悬空,见图2-8(b)

第14页:单片机的时钟信号

2.单片机的时钟信号:CPU发出的时序信号分为两类,一类用于片内各部件的控制,另一类用于对片外存储器或I/O口的控制。CPU执行指令时所需控制信号的时间顺序称为时序。

晶振周期是单片机中最基本的、最小的时间单位,如图2-9所示。

第15页:机器周期与指令周期

晶振信号12分频后形成机器周期,即单片机完成一个最基本操作所用的时间。一个机器周期包含12个晶振周期或6个时钟周期,即有6个状态S1~S6,12个振荡脉冲依次表示为S1P1、S1P2……S6P1、S6P2。通常算术逻辑操作在P1时相进行,内部寄存器传送在P2时相进行。

  • 指令周期:执行一条指令所需的时间,是时序中的最大单位,通常含1~4个机器周期
  • 按机器周期数分为单周期、双周期和四周期指令,只有乘、除运算为四周期指令
  • 一个机器周期=6个时钟周期=12个晶振周期
  • 晶振6MHz时一个机器周期为2μs,晶振12MHz时为1μs

第16页:指令执行时序

3.指令执行时序:任何一条指令的执行都可以分为取指和执行两个阶段。取指阶段CPU从程序存储器ROM中取出指令操作码送指令寄存器,再经指令译码器译码,产生一系列控制信号执行本条指令规定的操作。

  • 按指令字长分类:单字节指令、双字节指令、三字节指令
  • 按执行所需机器周期分类:单周期指令、双周期指令、四周期指令

第17页:单片机的复位方式与复位条件

2.2.3 单片机的复位:系统开始运行和重新启动靠复位电路实现,单片机开机时都需要复位,使CPU及其他功能部件处于确定的初始状态并从此开始工作。

  • 复位条件:RST引脚产生两个机器周期(即24个时钟周期)以上的高电平
  • 若RST引脚持续保持高电平,单片机处于循环复位状态
  • 复位操作有两种基本形式:上电复位、按键与上电复位均有效的复位电路

第18页:上电复位电路

1)上电复位电路:最简单的上电复位电路由电容和电阻串联构成,如图2-11所示。上电瞬间电容两端电压不能突变,RST引脚电压VR1为VCC,随充电呈指数规律下降,到t1时刻降为3.6V,最后接近0V。图2-12给出复位端电压—时间关系,图2-13为按键复位电路。

  • 为确保复位,t1必须大于两个机器周期的时间,t1与RC电路时间常数有关
  • R1不能取得太小,由晶振频率和R1可算出C3的取值
  • 晶振6MHz时:R1取1kΩ,C3取22μF
  • 晶振12MHz时:R1取8.2kΩ,C3取10μF

说明:源文本中电容取值写作「22F」「10F」,按上电复位电路常用参数应为22μF与10μF,此处已按标准值修正,建议对照原图复核。

第19页:复位后特殊功能寄存器的状态

2.复位后的状态:复位操作使单片机进入初始化状态,初始化后PC=0000H,CPU从程序存储器的0000H开始取指执行;单片机启动后RAM为随机值,运行中的复位操作不改变片内RAM的内容。各特殊功能寄存器(SFR)的值如表2-4所示。

表2-4 复位后特殊功能寄存器SFR的初始状态
SFR名称初始状态
ACC00H
B00H
PSW00H
SP07H
DPL00H
DPH00H
P0~P3FFH
IPxxx00000B
IE0xx00000B
TMOD00H
TCON00H
TH000H
TL000H
TH100H
TL100H
SCON00H
SBUF不确定
PCON0xxx0000B

说明:表中 x 表示未定义位,其复位后的值不确定,源文本以 * 号表示,此处统一记作 x。

第20页:单片机的最小系统

2.2.4 单片机的最小系统:仅给单片机VCC与GND之间供+5V工作电源它不会工作,还需要几个元器件共同构成最小系统。最小系统指用最少的元件组成的可让单片机工作的系统。

  • 51系列单片机最小系统一般包括:单片机、晶振电路、复位电路
  • 8051/8751片内有ROM/EPROM,构成的最小应用系统结构简单、工作可靠,如图2-14所示

第21页:存储器的两种结构:哈佛与普林斯顿

2.3 存储器结构:计算机的存储器结构有两种。

哈佛结构
程序存储器和数据存储器分开,相互独立;8051单片机属于哈佛结构。
普林斯顿结构
程序存储器和数据存储器统一,地址空间统一编址。

8051的存储器在物理结构上分为程序存储空间和数据存储空间,共有4个存储空间:片内程序存储器、片内数据存储器、片外程序存储器和片外数据存储器。

第22页:2.3.1 存储器的组成

2.3.1 存储器的组成:

  • 程序存储器(ROM)空间:片内4KB,地址0000H~0FFFH;片外64KB,地址0000H~FFFFH
  • 数据存储器(RAM)空间:片内256B,00H~7FH为通用数据存储区,80H~FFH为专用特殊功能寄存器区;片外64KB,地址0000H~FFFFH

程序存储器和数据存储器的结构配置见图2-16。

第23页:图2-16 8051的存储器结构

图2-16 8051的存储器结构:图中给出片内/片外程序存储器(ROM)与片内/片外数据存储器(RAM)的地址空间分布。

  • 内部ROM 0000H~0FFFH(EA=1)与外部ROM 0000H~0FFFH(EA=0)的切换关系
  • 外部ROM 1000H~FFFFH
  • 内部RAM低128B(00H~7FH)与高128B(80H~FFH)
  • 外部RAM 0000H~FFFFH

第24页:8051存储器地址空间的三类划分

从用户使用的角度看,8051存储器地址空间分为3类:

  • 片内片外统一编址0000H~FFFFH的64KB程序存储器地址空间(16位地址)
  • 64KB片外数据存储器地址空间,地址0000H~FFFFH(16位地址)
  • 256B片内数据存储器地址空间(8位地址)

三个存储空间地址相互重叠,靠不同的数据传送指令区分:访问片内ROM、片外ROM用MOVC指令;访问片外RAM用MOVX指令;访问片内RAM用MOV指令。

第25页:2.3.2 程序存储器ROM

2.3.2 程序存储器ROM:一般用只读存储器(ROM)作程序存储器,MCS-51可寻址空间为64KB,用于存放用户程序、数据和表格等信息。

  • 内部无ROM的8031:程序存储器必须外接,空间64KB,此时EA端必须接地,强制CPU从外部程序存储器读程序
  • 内部有ROM的8051等:正常运行时EA端接高电平,CPU先从内部程序存储器读程序,PC值超过内部ROM容量时才转向外部
  • 8051片内有4KB程序存储器,地址0000H—0FFFH

0000H~0002H是系统的启动单元,复位后PC内容为0000H,系统从0000H单元开始执行程序;若程序不是从0000H单元开始,应在该三个单元存放一条无条件转移指令。

第26页:表2-5 中断入口地址区

地址为0003H~002AH共40个单元被均匀地分为5段,每段8个单元,分别作为5个中断源的中断入口地址区,其定义如表2-5所示。每段只有8个地址单元通常存不下完整的中断服务程序,一般在入口地址处放一条无条件转移指令,指向中断服务程序的真正地址。

表2-5 中断入口地址区
使用目的保留单元地址
复位后初始化引导程序0000H~0002H
外部中断0中断程序入口地址0003H~000AH
定时器/计数器0中断程序入口地址000BH~0012H
外部中断1中断程序入口地址0013H~001AH
定时器/计数器1中断程序入口地址001BH~0022H
串行口中断程序入口地址0023H~002AH
定时器2中断入口地址(8052才有)002BH

第27页:2.3.3 数据存储器RAM

2.3.3 数据存储器RAM:数据存储器又称随机存取数据存储器,用于存放运算的中间结果、数据暂存和缓冲以及标志位等,8051的数据存储器可寻址空间为64KB。

  • 片外RAM:最大寻址范围0000H~FFFFH,最大容量64KB,用MOVX指令访问
  • 片内RAM:最大寻址范围00H~FFH,最大容量256B,用MOV指令访问
  • 片内RAM分为低128B(00~7FH)真正的RAM区与高128B(80~FFH)特殊功能寄存器(SFR)区

51单片机内部RAM有128或256个字节的用户数据存储单元(不同型号有别),均可读写,部分单元还可以位寻址。8051内部RAM配置图如图2-17所示。

第28页:图2-17 8051内部RAM配置图

图2-17 8051内部RAM配置图:图中给出片内256B数据存储区的配置,低128B(00H~7FH)为通用数据存储区,高128B(80H~FFH)为特殊功能寄存器(SFR)区,两部分地址不重叠、分别使用MOV指令访问。

第29页:2.4 并行I/O端口概述

2.4 并行I/O端口:8051单片机有四个8位双向I/O端口(P0、P1、P2、P3),共32条并行I/O口线,每一条I/O线都能独立地用作输入或输出。

  • P1、P2、P3为准双向口:用作输入线时口锁存器必须先写入1
  • P0口为双向三态输入输出口
  • 对I/O的读写不需要专门指令,把它当做可编址且能读写操作的寄存器,使用和RAM一样的读写指令
  • 4个I/O口既可以按字节寻址,也可以按位寻址

第30页:P0、P1、P2与P3口的结构与用途

P0口
8位,每1位由锁存器、两个三态输入缓冲器、控制电路和驱动电路组成(图2-17)。有两个作用:作通用I/O口使用;作地址/数据分时复用总线使用。
P1口
只能做一般I/O口使用,是准双向I/O口,每1位由锁存器、两个三态输入缓冲器和驱动电路组成(图2-20);工作原理与P0口相同,只是不能复用(无第二功能)。
P2口
8位准双向口,每1位由锁存器、两个三态输入缓冲器、控制电路和驱动电路组成(图2-21)。
P3口
8位准双向口,每1位由锁存器、两个三态输入缓冲器、控制电路和驱动电路组成(图2-22)。

第31页:I/O端口小结与驱动能力

2.4.5 I/O端口小结:P0、P1、P2和P3口均可作一般I/O口,实际应用中P0口用来构建8位数据总线和低8位地址总线,P2口构建高8位地址总线,P3口通常用于第二功能,P1口作为一般I/O口。

  • P0口输出电路由两个场效应管组成三态门,具有高电平、低电平和高阻隔离三态,是真正的双向口
  • P1、P2、P3口输出电路由上拉电阻和场效应管组成,没有高阻隔离状态,称为准双向口
  • P0口每位可吸收电流方式驱动8个LS型TTL负载,P1~P3口每位驱动4个LS型TTL负载
  • 输出低电平时单引脚最大吸收电流10mA,P1、P2、P3每个8位口总电流最大15mA,P0最大26mA,四个口之和最大71mA
  • 输出高电平时拉电流能力很差,只有几毫安

80C51(CHMOS型)驱动普通晶体管基极时,应在端口与晶体管之间串入一个电阻以限制高电平输出电流。

第32页:I/O口使用特别提示与实训2

【特别提示】:

  • 用作输出口时,P0口需要外接上拉电阻以产生高电平
  • 用作输入口时,4个口均要先向其端口锁存器写1
  • P3口用作第二功能信号时,也应先把对应的端口写1

练习:实训2 灯的闪烁。

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