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本课件讲解内存的分类,按工作原理区分各类ROM与SRAM、DRAM,介绍主存储器、Cache与内存条形态,拆解DDR3内存条的PCB、金手指与SPD结构,并说明TSOP、BGA、CSP等封装与CL、tRCD时序参数。
第4章内存
4.1 内存的分类
4.1.1 按内存的工作原理分类
PROM芯片的外观,如图4-1所示。
这类ROM有三种类型。
4.1.2 按内存在计算机中的用途分类
4.1.3 按内存的外观分类
DIP芯片一般用于286以下的微机,现在只有在显示卡上才能见到它们。其外观如图4-5所示。
内存条主要有两种接口类型:SIMM;DIMM。
4.1.4 按内存条的技术标准(接口类型)分类
DDR SDRAM内存条,其外观如图4-6所示。
DDR2内存条的外观如图4-7所示。
DDR3的外观如图4-8所示。
4.2 内存条的结构和封装
4.2.1 DDR3 SDRAM内存条的结构
下面以如图4-9所示的DDR3 SDRAM为例,介绍内存条的结构。
内存条上标签的形式如图4-10所示。
带有散热片的内存条如图4-11所示。
4.2.2 内存芯片的封装
改进的TSOP技术TSOP II目前广泛应用于SDRAM、DDR SDRAM内存的制造上,如图4-12所示。
DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA(Fine pitch Ball Grid Array,BGA的改进型)封装形式,如图4-13所示。
CSP(Chip Scale Package,芯片级封装)DDR内存,如图4-14所示。
4.3 DRAM内存的时间参数
4.3.1 DRAM内存的参数设置
目前DDR内存的CL值主要为2、2.5和3,DDR2的CL在3~6之间,DDR3的CL在5~8之间。DDR2与DDR3延迟时间对比如图4-15所示。
可选值有2、3和4。
可选值有2、3和4。
可选值范围为5~12。
4.3.2 DRAM内存的参数标识
通常按CL-tRCD-tRP-tRAS(有时省略tRAS)的顺序列出这4个参数,如图4-16所示。
如图4-17所示是BIOS设置选项。
4.4 内存的选购
4.4.1 内存的选购原则
如图4-18所示。
4.4.2 内存产品介绍
海盗船1GB DDR3 1333内存条的外观,如图4-19所示。
Kingmax 2GB DDR2 800 Long-DIMM的外观,如图4-20所示。
4.5 实训――查看内存默认频率及默认SPD参数
运行CPU-Z,显示Memory和SPD的内容,如图4-23所示。
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