页数：13页文件大小：853.1 KB来源： 平板显示技术基础ppt课件
本课件为课程第11章，讲解正置型、倒置型与微腔结构OLED及底发射、顶发射、穿透型三种发光方式，比较AMOLED面板可用的五类TFT技术，说明无源矩阵与有源矩阵驱动原理及2T1C像素电路，最后给出真空掩膜蒸镀与激光转移两种全彩色化方案及AMOLED工艺流程。
本章讲解OLED的结构与发光方式、AMOLED面板的TFT技术、OLED驱动原理与全彩色AMOLED显示的实现方法。
正置型OLED的发光方式有三种：
倒置型OLED结构：以金属阴极（全反射层）为底层，依次为电子注入、发光层、空穴注入层与ITO阳极。
微腔结构OLED在ITO阳极与玻璃衬底之间加入DBR（分布布拉格反射）结构，利用光学微腔效应改善出光特性。
AMOLED面板可采用的TFT技术及其迁移率与阈值电压漂移：
| TFT类型 | 载流子迁移率μ（cm2/Vs） | △VTH |
|---|---|---|
| 低温多晶硅 | ≈100 | <0.3V |
| 高温多晶硅 | ≈20 | <0.3V |
| 非晶氧化物 | ≈10 | <0.3V |
| 微晶硅 | <10 | <0.3V |
| 非晶硅 | ≈1 | ≈3V |
说明：原页同时给出迁移率随产线世代（4、6、8代）变化的坐标图，图中各曲线的具体取值待对照原图核对。
无源矩阵OLED（PMOLED）：玻璃基板上阳极与阴极相互垂直布置，行信号与列信号交叉选通对应像素的发光层，实现单色显示。
有源矩阵OLED（AMOLED）：玻璃基板上制作TFT与像素电极，其上依次为有机层（空穴传输层、发光层、电子传输层）、阴极与封装层或盖板，由TFT单独驱动每个像素。
2T1C像素电路由开关TFT（T1）、驱动TFT（T2）与存储电容Cs构成，连接扫描线、信号线与电源线，由T2为OLED提供驱动电流。
2T1C像素的平面布局：
图中标出扫描线、信号线、电源线与T1、T2、Cs的位置。
本页为2T1C驱动的AMOLED阵列基板实物照片，由中科院长春应用化学研究所提供。
说明：本页源文件提取到的文字较少，主体为实物照片，建议对照原图补充器件与基板说明。
全彩色AMOLED的真空掩膜蒸镀：在带有ITO阳极与隔离柱的玻璃基板上，通过掩膜板分别蒸镀红色、绿色、蓝色发光层，实现RGB三色像素并置。
激光转移技术：载膜基板上的吸光层吸收激光束能量，使发光层从载膜基板转移到显示基板，在PDL隔离层之间形成图形化的有机功能层；系统由激光头、X/Y扫描平台、夹具、抽真空与放大气口组成。
AMOLED工艺流程分为四段：
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