02-3 第三节 回复与再结晶.pptx

第1页：回复与再结晶

回复与再结晶

第三节回复与再结晶

第2页：变形金属在加热时的组织与性能变化

变形金属在加热时的组织与性能变化

一、变形金属在加热时的组织与性能变化显微组织变化（三个阶段）回复：冷变形金属在低温加热时，显微组织仍为纤维状，无可见变化，但其物理、力学性能却部分恢复到冷变形以前。

再结晶：冷变形金属被加热到适当温度时，变形晶粒通过形核长大，在变形组织内部新的无畸变的等轴晶粒逐渐取代变形晶粒，而使形变强化效应完全消除。

晶粒长大：晶界移动、晶粒粗化，达到相对稳定的形状和尺寸。

第3页：. 3/E

. 3/E

本页以图示为主，正文要点详见本页配图。

第4页：性能变化

性能变化

1力学性能（示意图）回复阶段：强度、硬度略有下降，塑性略有提高。

再结晶阶段：强度、硬度明显下降，塑性明显提高。

晶粒长大阶段：强度、硬度继续下降,塑性继续提高，粗化严重时下降。

2物理性能密度:在回复阶段变化不大，在再结晶阶段急剧升高；电阻：电阻在回复阶段可明显下降。

第5页：储存能变化

储存能变化

示意图）1储存能：存在于冷变形金属内部的一小部分（～10％）变形功。

弹性应变能（3～12％）2存在形式位错（80～90％）驱动力点缺陷3储存能的释放：原子活动能力提高，迁移至平衡位置，储存能得以释放。

回复再结晶

第6页：内应力变化回复阶段

内应力变化回复阶段

大部分或全部消除第一类内应力，部分消除第二、三类内应力；再结晶阶段：内应力可完全消除。

第7页：回复过程中微观结构的变化机制

回复过程中微观结构的变化机制

1低温回复（0.1－0.3Tm）移至晶界、位错处点缺陷运动空位＋间隙原子—空位消失缺陷密度降低空位聚集（空位群、对）2中温回复（0.3－0.5Tm）异号位错相遇而抵消位错滑移位错密度降低位错缠结重新排列（一）回复

第8页：高温回复

高温回复

>0.5Tm）位错攀移（＋滑移）位错垂直排列（亚晶界）多边化（亚晶粒）弹性畸变能降低。

第9页：再结晶冷变形后的金属加热到

再结晶冷变形后的金属加热到

二）再结晶冷变形后的金属加热到一定温度之后，在原变形组织中重新产生了无畸变的新晶粒，而性能也发生了明显的变化并恢复到变形前的状况，这个过程称之为再结晶。

因此，与前述回复的变化不同，再结晶是一个显微组织重新改组的过程。

再结晶的驱动力是变形金属经回复后未被释放的储存能(相当于变形总储能的90％)。

通过再结晶退火可以消除冷加工的影响，故在实际生产中起着重要作用。

第10页：再结晶的形核与长大

再结晶的形核与长大

1形核凸出形核（变形量较小时,<20%）晶核伸向小位错胞晶粒(畸变能较高区域)内.亚晶长大形核机制（变形量较大时）亚晶合并形核亚晶界移动(长大)形核(吞并其它亚晶或变形部分)

第11页：一再结晶的形核与长大晶界凸出形核

一再结晶的形核与长大晶界凸出形核

变形量较小时,<20%）晶界弓出形核，凸向亚晶粒小的方向.

第12页：再结晶的形核与长大

再结晶的形核与长大

1形核亚晶合并形核亚晶界移动(长大)形核晶界凸出形核

第13页：再结晶的形核与长大驱动力

再结晶的形核与长大驱动力

畸变能差(无畸变的新晶粒与周围基体)2长大方式:晶核向畸变晶粒扩展,至新晶粒相互接触。

注：再结晶不是相变过程。

第14页：晶粒长大再结晶结束后，材料

晶粒长大再结晶结束后，材料

三）晶粒长大再结晶结束后，材料通常得到细小等轴晶粒，若继续提高加热温度或延长加热时间，将引起晶粒进一步长大。

驱动力：晶粒长大的驱动力来自晶粒长大后总的界面能的降低。

长大方式：正常长大：再结晶后的晶粒均匀连续的长大。

异常长大：少数再结晶晶粒的急剧长大现象(二次再结晶）。

第15页：一晶粒的正常长大

一晶粒的正常长大

1长大过程：大晶粒吞并小晶粒。

第16页：晶粒的正常长大

晶粒的正常长大

一晶粒的正常长大晶界趋于平直;3晶粒的稳定形状晶界夹角趋于120℃;二维坐标中晶粒边数趋于6.

第17页：一晶粒的正常长大

一晶粒的正常长大

• 温度。温度越高，晶界易迁移，晶粒易粗化。
• 分散相粒子。阻碍晶界迁移，降低晶粒长大速率。一般有晶粒稳定尺寸d和第二相质点半径r、体积分数的关系：d=4r/3
• 杂质与合金元素。降低界面能，不利于晶界移动。

第18页：二晶粒的异常长大

二晶粒的异常长大

1异常长大:指晶粒正常长大(一次再结晶)后又有少数几个晶粒择优生长成为特大晶粒的不均匀长大过程。

2原因：第二相质点的影响。

2对组织和性能的影响：晶粒大小不均，性能不均。

第19页：金属的再结晶温度再结晶不是相

金属的再结晶温度再结晶不是相

二、金属的再结晶温度再结晶不是相变过程。

再结晶温度可在较宽的温度范围内变化。

1再结晶温度：经严重冷变形（变形量>70%）的金属或合金，在1h内能够完成再结晶的（再结晶体积分数>95%）最低温度。

高纯金属：T再＝(0.25~0.35)Tm。2经验公式工业纯金属：T再＝(0.35~0.45)Tm。合金：T再＝(0.4~0.9)Tm。注：再结晶退火温度一般比上述温度高100～200℃。

第20页：影响再结晶温度

影响再结晶温度

的因素1金属的变形量。

变形量越大，再结晶温度越低；随变形量增大，再结晶温度趋于稳定；在给定温度下发生再结晶需要以一临界变形量，变形量低于该值，再结晶不能进行。

2金属的纯度。

金属中微量溶质元素可以阻碍位错和晶界的运动，不利于再结晶。实验表明，金属纯度越高，再结晶温度越低。3退火加热速度和时间。提高加热速度，将使再结晶温度提高。延长退火保温时间，可以降低再结晶温度。

第21页：再结晶退火后的晶粒度再结晶晶

再结晶退火后的晶粒度再结晶晶

三、再结晶退火后的晶粒度再结晶晶粒大小的控制再结晶晶粒的平均直径d=k[G/N]1/4G----长大速率N----形核速率凡是影响G, N的因素，均影响再结晶的晶粒大小。

第22页：再结晶晶粒大小的影响因素

再结晶晶粒大小的影响因素

1变形量（图）。

变形量越大，再结晶晶粒越细小。

存在临界变形量，生产中应避免临界变形量。

2加热温度。加热温度越高，回复程度越大，储存能减小，晶粒粗化；加热温度越高，临界变形度越小，晶粒粗大。

第23页：再结晶的应用

再结晶的应用

恢复变形能力改善显微组织再结晶退火消除各向异性提高组织稳定性再结晶温度：T再＋100～200℃。

4h

第24页：再结晶图

再结晶图

退火温度、变形量与晶粒大小的关系图。