首页材料科学基础学科材料科学基础 04-3-2 FH4-3-3.4.5节 面缺陷-晶界偏析晶粒形貌与相界.pptx

04-3-2 FH4-3-3.4.5节 面缺陷-晶界偏析晶粒形貌与相界.pptx

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本课件围绕晶体缺陷展开,依次讲解点缺陷、面缺陷等内容,配合图示与完整文字版,便于课前预习、课堂对照与课后复习使用。内容按章节顺序组织,逐页呈现图示与文字版。可与教材章节对照阅读,也可用于备课与考研复习参考。

晶体缺陷封面,非晶体与准晶结构、原子结构与结合键
晶体缺陷章节标题页,列出本章主要内容与学习要求
面缺陷讲解页,围绕面缺陷展开图示说明与要点归纳
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第1页:晶体缺陷

第4章晶体缺陷Crystal defects

  • 0绪论
  • 第1章原子结构与结合键Atomic Structure and binding bond
  • 第2章晶体学基础Basis of Crystallography
  • 第3章晶体结构Crystal Structure
  • 第5章非晶体与准晶结构Amorphous andQuasicrystalStructure
  • 第6章相图Phase Diagram
  • 第7章固体扩散Solid Diffusion
  • 第8章凝固与结晶Solidification and Crystallization
  • 第9章烧结与聚合Sintering and Polymerization
  • 第10章固态相变Solid Phase Transformation

第2页:晶体缺陷

第4章晶体缺陷Crystal Defect4.1点缺陷(Point defect)4.1.1点缺陷的类型4.1.2点缺陷的浓度4.1.3点缺陷对材料性能的影响4.2线缺陷(Line defects)4.2.1位错的类型4.2.2柏氏矢量4.2.3位错的运动4.2.4位错的应力场4.2.5位错与晶体缺陷间的交互作用4.2.6位错的增殖与塞积4.2.7实际晶体中的位错4.3面缺陷(Surfacedefects)4.3.1晶体表面4.3.2晶界结构与能量4.3.3单相多晶体中的晶粒形貌4.3.4晶界偏析与晶界迁移4.3.5相界

第3页:面缺陷

4.3面缺陷(Surface defects)4.3.1晶体表面4.3.2晶界结构与能量4.3.3单相多晶体中的晶粒形貌4.3.4晶界偏析与晶界迁移4.3.5相界1.表面:结构与性能2.晶界:结构,能量,偏析,迁移,晶粒平衡形貌,特性。3.相界:第二相形貌。

第4页:面缺陷

23、单相多晶体平衡时一般规律是两个晶粒相遇于,三个晶粒相遇于,四个晶粒相遇于。22、在晶粒内部形成第二相时,若第二相和基体之间的界面能大,则其形状一般为,若要减少弹性应变能,一般会长成形状。4.3.3单相多晶体中的晶粒形貌

第5页:面缺陷

一、单相多晶体中的晶粒形状(多晶体的堆积规律)(1)两个晶粒相遇于1个面(晶面);(2)3个晶面相遇于1条线(晶棱);(3)4个晶粒相遇于一点(晶粒角隅)

第6页:面缺陷·大晶粒吞并小晶粒

  • 小晶粒边数少,凹面向内。
  • 大晶粒边数多,凹面向外。
  • 晶界向小晶粒一侧移动,
  • 大晶粒吞并小晶粒。大、小晶粒形貌??

第7页:大晶粒吞并小晶粒·系统能量降低

系统能量降低。四棱节点分解为两个二棱节点

第8页:系统能量降低·平衡时界面特征

  • Mo-Ni-Fe
  • 平衡时界面特征:1晶面1晶棱1角隅2晶粒3晶面4晶粒角隅

第9页:平衡时界面特征

Wc=0.20%亚共析钢的室温组织晶面晶棱角隅

第10页:平衡时界面特征·α和β十四面体

  • 角隅上两晶棱间的交角应是109.5°。没有一种规则多面体符合平衡条件的。
  • 把规则14面体的面和棱弯曲,使各棱之间夹角为109.5°,分别称为α和β十四面体。堆满空间。
  • α和β十四面体为单相多晶体的完整晶粒形状模型。十四面体(a)规则十四面体(b)α-十四面体(c)β-十四面体实际晶体中的晶粒

第11页:α和β十四面体·晶粒内部

  • 新相周围的应变:二、复相组织形貌
  • 基体+第二相——4种位置:
  • 晶粒内部、晶界、晶棱和晶角。界面能弹性应变能增加的能量??

第12页:晶粒内部

  • 第二相与基体间的总的界面能为∑Aiγi;
  • 形成第二相时引起的弹性应变能为△Gs;
  • ∑Aiγi+△Gs最小时,第二相达到稳定形貌。

第13页:晶粒内部·界面能弹性应变能球状

界面能弹性应变能球状,等轴园盘状,薄片状最小最小弹性应变能与形状的关系第二相形状?

第14页:共格

共格、部分共格、非共格界面结构

第15页:共格·晶界与晶棱上第二相

晶界与晶棱上第二相的形状:β呈球状β双球冠状β呈连续薄膜

第16页:晶界与晶棱上第二相

三、晶棱与晶角上的第二相二面角δ=120°X=Y=109.5°,曲面四面体

第17页:晶界与晶棱上第二相

晶棱和晶角上第二相的形貌二面角δ=120°二面角δ=60°曲面四面体沿晶棱网络

第18页:晶界与晶棱上第二相

不锈钢晶界偏析-—耐蚀性↓,脆性↑4.3.4晶界偏析与晶界迁移

第19页:晶界偏析与晶界迁移

4.3.4晶界偏析与晶界迁移

  • 1、平衡偏聚
  • 晶界结构松散,
  • 原子偏聚在晶界,降低系统能量。
  • 驱动力:溶质原子在晶内和晶界的内能差ΔE。

第20页:晶界偏析与晶界迁移

4.3.4晶界偏析与晶界迁移

  • 1、平衡偏聚
  • Cu-1%Sn合金:
  • Sn处于晶界时畸变能明显降低晶格固溶:晶格畸变

第21页:晶界偏析与晶界迁移

LY12铝合金α-基体均匀分布S相和θ相强化相沿晶界大量析出

第22页:晶界偏析与晶界迁移·镍基合金

镍基合金

第23页:镍基合金·溶质原子偏聚在晶界

  • 2.正吸附与负吸附(反内吸附)
  • 正吸附:
  • 溶质原子偏聚在晶界,降低系统能量。
  • Ni、B、C加入Fe中。

第24页:溶质原子偏聚在晶界

  • 2.正吸附与负吸附(反内吸附)
  • 负吸附:
  • 溶质使界面能提高,晶界浓度低,晶格内聚集,降低能量。
  • Al加入Fe中。

第25页:溶质原子偏聚在晶界

  • 3晶界偏聚意义
  • 强度、塑韧性、耐腐蚀性、工艺性等。
  • 氧O、磷P及脆性夹杂物在晶界偏聚,降低晶界结合力,脆性增大。a.晶界偏聚0.1%B,提高室温塑性。c.中/低碳钢加入0.0005~0.003%B,偏聚在晶界,降低晶界能,提高淬透性。
  • 有害影响:
  • 有益影响:

第26页:晶界偏析与晶界迁移

4.3.4晶界偏析与晶界迁移

19、晶界迁移的驱动力是。晶界移动的结果是小晶粒,大晶粒。4、晶界迁移

第27页:晶界偏析与晶界迁移

晶界迁移—晶粒长大

第28页:晶界偏析与晶界迁移

ZrO2晶粒长大

第29页:晶界偏析与晶界迁移

  • SEM micrographs of Mg-PSZ sintered at 1600
  • C 1 h(a) ZrO2 + 3.11 wt%MgO, (b) ZrO2 + 3.11 wt%MgO, 1200
  • C(c) ZrO2 + 3.11 wt%MgO,1200
  • C and aged at 1420
  • C 4 h.Arrow mark indicates possible monoclinic twins.

第30页:晶界偏析与晶界迁移·结晶过程

结晶过程:形核和长大。长大:界面迁移。(1)晶界迁移驱动力变形储存能+弯曲界面化学位差Δμ

第31页:结晶过程

  • 界面张力γL,指向曲率中心的分力:
  • 界面:变直的倾向。

第32页:晶界移动的结果

(2)晶界移动的结果???小晶粒的形态大晶粒的形态

  • 小晶粒更小,大晶粒更大。
  • 单相合金三叉晶棱上之角为120°。(动画)

第33页:相界

4.3.5相界?山水画

第34页:

第35页:相界

21、根据两相界面上的原子排列,相界分为,和。4.3.5相界

第36页:相界·仅在少数情况下出现

  • 1.共格相界:界面完全相互匹配。
  • 仅在少数情况下出现,Co相变中fcc相与hcp相的相界。不同结构的两相界面:共格,半共格,非共格两相晶体结构相同两相结构不同

第37页:仅在少数情况下出现

有应变的共格相界:共格畸变

第38页:仅在少数情况下出现

  • 2.半共格相界
  • 错配处由刃位错补偿。与小角度晶界类似。柏氏矢量b:
  • 结构相同,点阵参数或夹角有少量差异。

第39页:仅在少数情况下出现

  • 3.非共格界面
  • 两相在相界面处的原子排列差异很大。
  • 排列相似但原子间距差异超过25%。
  • 与大角晶界相似,界面基本无序

第40页:仅在少数情况下出现

表面的结构表面原子一侧无原子键结合(断键),能量较高;密排面断键少,表面能最低,密排面作表面。表面面缺陷小结

第41页:仅在少数情况下出现

面缺陷小结晶界的性质:相界晶界/相界能→显微组织形貌

第42页:仅在少数情况下出现

  • 晶界分类大角晶界位向差θ<10°(位向差θ>10°)倾转晶界(不对称\对称)小角晶界扭转晶界
  • 晶界结构
  • 刃位错。
  • 晶界结构:
  • 螺位错。1.任意大角度晶界2.孪晶界(共格/非共格)能量低

第43页:仅在少数情况下出现·小晶粒边数少

  • 小晶粒边数少,凹面向内。
  • 大晶粒边数多,凹面向外。
  • 晶界向小晶粒一侧移动,
  • 大晶粒吞并小晶粒。

第44页:小晶粒边数少

  • 1晶界的性质:
  • 原子排列不规则,空位/位错/键变形等缺陷,处于应力畸变状态。
  • 高能态,成为形核区域。
  • 易受腐蚀(热侵蚀/化学腐蚀);
  • 是原子(离子)快速扩散的通道,
  • 易引起杂质原子(离子)偏聚(析);
  • 晶界处熔点低于晶粒;
  • 晶界向小晶粒一侧移动,大晶粒吞并小晶粒。小结晶界迁移驱动力:变形储存能+弯曲界面化学位差Δμ

第45页:小晶粒边数少·相界共格

2相界共格,半共格,非共格

第46页:相界共格·第二相强化

  • 4第二相强化(沉淀强化,弥散强化)
  • 1固溶强化
  • 强化机制:
  • 2位错强化
  • 3细化晶粒

第47页:第二相强化·的应变能

  • 体积一定:
  • 球状(c/a=1)的应变能最高;
  • 园盘状(c/a
  • 0)的应变能很低;
  • 针状状(c/a=
  • )的应变能在二者之间.弹性应变能与形状的关系

第48页:结束页

谢谢!

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