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05 第五章 结晶技术.ppt

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本课件讲解结晶技术:说明结晶是形成新相并伴随表面化学反应与热质传递的过程,以过饱和度为推动力分为形成过饱和溶液、晶核形成与晶体生长三步,展开饱和与过饱和曲线与介稳区宽度,并介绍初级成核、二次成核与提高晶体质量的途径。

第5章结晶技术封面页,列出概述、基本原理、结晶类型、结晶过程计算与提高晶体质量途径五个主题
结晶技术概述页,从结晶历史、结晶原理、结晶与沉淀异同点和结晶实质四个方面引入本章
结晶过程实质页,指出结晶是新相形成、表面化学反应与热质传递过程,并引入过饱和度与晶核概念
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第1页:第5章 结晶技术

第5章 结晶技术

  • 1. 概述
  • 2. 结晶的基本原理
  • 3. 结晶的类型
  • 4. 结晶过程的计算
  • 5. 提高晶体质量的途径

第2页:结晶技术概述

1. 结晶技术概述

  • 结晶历史
  • 结晶原理
  • 结晶与沉淀异同点
  • 结晶实质

第3页:结晶过程的实质

2. 结晶过程的实质

  • 形成新相的过程
  • 表面化学反应过程
  • 热质传递过程
  • 过饱和度
  • 晶核

第4页:结晶过程三步骤

3. 结晶过程

  • (1) 形成过饱和溶液
  • (2) 晶核形成
  • (3) 晶体生长

过饱和度是结晶的推动力。

第5页:饱和曲线与过饱和曲线

溶解度与温度的关系可以用饱和曲线和过饱和曲线表示(图1):图中的曲线 1 代表饱和曲线,一般每种物质具有一条饱和溶解度曲线;开始有晶核形成的过饱和浓度与温度的关系用过饱和曲线(图中虚线 2 和 3)来表示。

第6页:温度-溶解度关系图的四个区域

  • 1)稳定区:溶液未饱和,不会结晶
  • 2)第一介稳区:无晶核自发形成,加入晶种后晶体可生长
  • 3)第二介稳区:接近自发成核,晶核可缓慢形成
  • 4)不稳区:自发成核,瞬间析出大量细晶

第7页:介稳区的宽度

介稳区宽度物理意义
表征溶液可承受过饱和而不自发成核的范围,是控制结晶操作区间的依据
介稳区宽度的测定方法
通过逐步降温或蒸发测定出现首批晶核时的温度与浓度,确定过饱和曲线位置

第8页:过饱和溶液的形成方法

  • (1) 将热饱和溶液冷却
  • (2) 将部分溶剂蒸发
  • (3) 化学反应结晶
  • (4) 盐析结晶

第9页:溶解度与温度的关系

溶解度与温度的关系:溶解度随温度变化显著的物质适合冷却结晶,变化平缓者宜采用蒸发结晶,曲线斜率决定结晶推动力的获得方式。

第10页:晶核的形成

5. 晶核的形成

  • 初级成核:过饱和溶液中自发形成晶核(均相或非均相成核)
  • 二次成核:在已有晶体存在下由碰撞、剪切或接触产生新晶核

第11页:晶体的生长

6. 晶体的生长:晶体生长过程由扩散和表面化学反应相继组成,晶体生长速率与初始晶体的原始粒度无关。

  • 搅拌
  • 升温
  • 降粘度
  • 过饱和度

第12页:结晶操作特性

  • ① 过饱和度
  • ② 温度
  • ③ 搅拌
  • ④ 溶剂与 pH 值
  • ⑤ 晶种
  • ⑥ 晶浆浓度
  • ⑦ 循环流速
  • ⑧ 结晶设备

第13页:

第14页:

第15页:提高晶体质量的途径

  • 晶体大小:控制过饱和度与停留时间以获得均匀粒度
  • 晶体形状:调节溶剂、杂质与生长速率改善晶习
  • 晶体纯度:减少母液夹带与包藏,必要时重结晶
  • 晶体的结块:控制粒度、水分与储存条件
  • 重结晶:再次溶解结晶以进一步提高纯度

第16页:本章作业

作业

  • 1. 名词解释:初级成核、二次成核、直接结晶、间接结晶、晶核
  • 2. 请画出味精结晶的 T~C 关系图,并说明图上各曲线和区域的物理意义,在图上表示出粉状味精和棒状味精生产的操作特点
  • 3. 试述食盐晶体在货架期结块的原因,并结合结晶过程说明预防的方法
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