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09 第六章 脉冲波形 的产生和整形.pptx

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本课件对应教材第六章脉冲波形的产生和整形,以 555 定时器为主线讲解施密特触发器、单稳态触发器与多谐振荡器的构成与参数计算,并补充用门电路和石英晶体构成振荡器的多种方案。

第六章脉冲波形概述页,列出矩形脉冲的周期、幅度、脉宽等参数与本章三种脉冲电路
555 定时器电路结构页,介绍 1972 年 Signetics 推出并对比双极型与 CMOS 型的电源与负载能力
555 功能表页,列出阈值端与触发端不同电平组合下的输出与放电管状态
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第1页:脉冲波形概述

第六章 脉冲波形的产生和整形 第一节 概述。本章只讨论矩形脉冲。矩形脉冲的主要参数:脉冲周期 T、脉冲频率 f = 1/T、脉冲幅度 VM、脉冲宽度 tW、上升时间 tr、下降时间 tf,占空比 q = tW/T。

本章讨论三种脉冲电路:施密特触发器、单稳态触发器、多谐振荡器。每种电路都有集成、用门电路构成、用 555 电路构成三种方式,本章只介绍用 555 电路构成的脉冲电路。

第2页:555 定时器

第二节 555 定时器及其应用。一、555 定时器的电路结构与功能。555 电路又称为集成定时器,1972 年由 Signetics 公司推出,既有双极型产品也有 MOS 型产品,产品型号的最后 3 位数码都是 555,如 CB555 是国产双极型电路、CH7555 是 CMOS 型电路。

双极型与 CMOS 型 555 电路的参数对比
类型电源电压范围最大负载电流
双极型 5555—16 V200 mA
CMOS 型 5553—18 V4 mA

引脚包括清零端、控制电压端 VCO、阈值端(高触发端)TH、触发端(低触发端)TR 与放电端 TD。

第3页:555 定时器的功能表

有两个阈值电压:VR1 = 2VCC/3,VR2 = VCC/3。随着 TH 端和 TR 端的电压不同,其工作状态将发生变化。

555 定时器的功能表
RDTH(VR1)TR(VR2)输出放电管 TD
0××低导通
1> 2VCC/3> VCC/3低导通
1< 2VCC/3> VCC/3不变不变
1< 2VCC/3< VCC/3高截止

当在 VCO 端外接控制电压时阈值电压将随之变化:上限变为 VCO,下限变为 VCO/2。

第4页:施密特触发器的特点

二、构成施密特触发器 Schmitt Trigger。(一)电路的特点:

  • 输入信号从低电平上升的过程中电路状态转换时对应的输入电平,与输入信号从高电平下降过程中对应的输入电平不同
  • 在电路状态转换时,通过电路内部的正反馈过程使输出电压波形的边沿很陡

工作原理:分析输入电压由 0 V 上升到 VCC 和由 VCC 下降到 0 V 时电路状态如何变化。把 TH 端和 TR 端并联作输入端接输入电压。

第5页:施密特触发器的传输特性

  • VT+:正向阈值电压或上限阈值电压
  • VT−:负向阈值电压或下限阈值电压
  • ΔVT = VT+ − VT−:回差电压

若改变 VCO 值,VT+、VT− 的值将随之改变。

特点:由于有比较器,允许输入信号慢变化;由于有触发器,输出端边沿好。

第6页:施密特触发器的应用

(二)施密特触发器的应用:

  • 1. 波形变换:把缓慢变化的信号变换为矩形波
  • 2. 脉冲整形:把畸变的脉冲整成规整的矩形波
  • 3. 脉冲鉴幅:只有幅度超过阈值的脉冲才有输出

第7页:集成施密特触发器

(三)其他类型的施密特触发器:用门电路也可构成施密特触发器(现已很少使用),此外还有集成的施密特触发器,既有 TTL 型也有 CMOS 型。

  • 74LS14 是集成施密特触发六反相器,74LS132 是施密特触发的四—2 输入与非门
  • CC40106 是集成施密特触发六反相器,CC4093 是施密特触发的四—2 输入与非门

第8页:门电路构成的施密特触发器

用集成门电路构成的施密特触发器:1. 电路组成——两个 CMOS 反相器与两个分压电阻。本页给出 (a) 电路与 (b) 逻辑符号。

第9页:门电路施密特触发器原理

2. 工作原理。(1)工作过程:设 CMOS 反相器的阈值电压 UTH = VDD/2,输入信号 uI 为三角波。

第10页:第一稳态

当 uI = 0 V 时,G1 截止、G2 导通,输出为 UOL,即 uO = 0 V。只要满足 uI1 < UTH,电路就会处于这种状态(第一稳态)。

当 uI 上升使得 uI1 = UTH 时,电路会产生如下正反馈过程。

第11页:上限触发转换电平

电路会迅速转换为 G1 导通、G2 截止,输出为 UOH,即 uO = VDD 的状态(第二稳态)。此时的 uI 值称为施密特触发器的上限触发转换电平 UT+。显然,uI 继续上升电路的状态不会改变。

第12页:下限触发转换电平

如果 uI 下降,uI1 也会下降。当 uI1 下降到 UTH 时,电路又会产生以下的正反馈过程:电路会迅速转换为 G1 截止、G2 导通、输出为 UOL 的第一稳态。此时的 uI 值称为施密特触发器的下限触发转换电平 UT−。uI 再下降,电路将保持状态不变。

第13页:工作波形与传输特性

(2)工作波形与电压传输特性:施密特触发器将三角波 uI 变换成矩形波 uO。

3. 重要参数:上限触发转换电平 UT+、下限触发转换电平 UT−、回差 ΔUT = UT+ − UT−(通常 UT+ > UT−)。改变 R1 和 R2 的大小可以改变回差 ΔUT。

第14页:单稳态触发器的特点

三、构成单稳态触发器。(一)电路的特点:

  • 有两个状态——稳态与暂稳态
  • 在外界触发脉冲作用下能从稳态翻转到暂稳态,在暂稳态维持一段时间后再自动返回
  • 暂稳态维持时间的长短取决于电路本身参数,与触发脉冲的宽度和幅度无关

第15页:单稳态触发器工作原理

(二)工作原理:

  • 1. 稳态:vI = VH,设 TD 工作在饱和状态,则 vC = VTH = 0 V,555 电路处于保持状态且一定是 vO = VL(若假设 TD 截止则不合理)
  • 2. 触发:555 电路状态翻转为 vO = VH,此时 TD 截止,vC 保持 0 V 不变
  • 3. 暂稳态:电容 C 充电,三要素为 vC(0) = 0 V、vC(∞) = VCC、τ = RC

第16页:自动返回与恢复

  • 4. 自动返回:当 vC = 2VCC/3 时,555 电路翻转为输出 VL
  • 5. 恢复:由于 TD 导通,电容 C 向 TD 放电,使 vC 迅速下降为 0 V

第17页:单稳态的参数计算

(三)参数计算:

  • 1. 脉冲宽度 tW:由电容电压从 0 充到 2VCC/3 的时间得到,tW = RC ln3 ≈ 1.1 RC
  • 2. 恢复时间 tre:tre = (3~5) rceC
  • 3. 分辨时间 td:td = tW + tre,即触发脉冲的最小周期

(四)电路特点:窄脉冲触发,触发脉冲宽度要小于输出脉冲宽度;若条件不满足可在输入端加微分电路。

第18页:微分电路

RC 电路的应用:可对矩形波进行变换,常用的有微分电路、积分电路和脉冲分压器。

1. 微分电路:可将矩形波变换为尖峰波(条件 RC << tW)。由于电路的输出 uO 只反映输入波形 uI 的突变部分,故称为微分电路。

第19页:积分电路

2. 积分电路:可将矩形波变换为三角波(条件 RC >> tW)。如果不满足积分电路的条件(即 RC << tW),输出波形 uO 的边沿会变差。

第20页:脉冲分压器的必要性

3. 脉冲分压器:在模拟电路中常用电阻分压器来实现正弦波信号的无失真传输;但是对脉冲信号的传输不能采用简单的电阻分压器,因为分布电容的影响会使输出波形的边沿发生畸变。

第21页:脉冲分压器

脉冲分压器:为了实现脉冲信号的无畸变传输,需要采用脉冲分压器,各种示波器的输入衰减器采用的就是这种电路。只要满足条件 C1R1 = C2R2,即可实现脉冲信号的无畸变传输。

第22页:555 单稳态电路波形

本页给出 555 单稳态电路的波形:输入窄触发脉冲作用下,输出 vO 产生固定宽度的正脉冲,电容电压 vC 由 0 V 充至 2VCC/3 后迅速放电恢复。若触发脉冲宽度条件不满足,可在输入端加微分电路。

第23页:单稳态触发器的应用

(五)应用:

  • 1. 整形——改变输入脉冲的占空比,输出固定宽度的脉冲
  • 2. 定时(延时)控制

例 1:数字频率计,用单稳产生宽度为 1 秒的正脉冲作为计数闸门,配合计数器读出频率值。例 2:延时触发,用两级单稳串联,延迟时间为 tW1,输出脉宽为 tW2。

第24页:集成单稳态触发器 74121

(六)其他类型的单稳态触发器:用门电路可构成单稳态触发器,也有集成的单稳态触发器。1. 集成单稳态触发器既有 TTL 产品也有 CMOS 产品,这里介绍 74121。

  • 有三个输入端:A1、A2 为下降沿触发输入端,B 为上升沿触发输入端
  • 有两个互补的输出端
  • 电容需外接,电阻可选择内部的也可外接

第25页:74121 功能表

74121 的功能可用功能表或波形图说明,包含三种工作方式:保持、A 端触发(下降沿)、B 端触发(上升沿)。

第26页:74121 的输出脉宽

工作波形与输出脉宽的计算:74121 的公式为 tW ≈ 0.69 RextCext。

  • Rext 取值在 2 kΩ 到 30 kΩ 之间
  • Cext 取值在 10 pF 到 10 µF 之间
  • tW 的范围在 20 nS 到 200 mS 之间

也可使用内部电阻 Rint(约 2 kΩ)代替外接电阻。74121 是不可重复触发的,而 74122 是可重复触发的。

第27页:CMOS 微分型单稳态触发器

2. CMOS 微分型单稳态触发器。(1)工作原理:由输入端微分电路提取上升沿。

  • 稳态:vI = VDD,vO1 = 0,vO = 0
  • 触发后进入暂稳态:vI = 0,vO1 = VDD,vO = VDD
  • 电容 C 充电,三要素为 vC(0) = 0、vC(∞) = VDD、τ = RC
  • 自动返回条件:vI2 = VTH

第28页:CMOS 单稳态的参数

(2)计算:脉宽 tW 等于 vI2 由 0 V 上升到 VTH(约 0.5VDD)所用的时间。

恢复过程:电容 C 放电至起始状态,所用时间 Tre = (3~5) C RON,其中 RON 为门 G1 的输出电阻。取消输入微分电路会使输出后沿变坏。

第29页:多谐振荡器的原理

四、构成多谐振荡器。(一)电路的特点:不需输入信号即可产生矩形脉冲。

(二)电路的原理:刚接通电源时 vC = 0 V、TD 截止,此时为暂稳态 1,电容 C 充电,三要素为 vC(0) = 0 V、vC(∞) = VCC、τ充 = (R1 + R2)C;在 t1 时刻 vC = 2VCC/3,555 电路翻转为 vO = VL、TD 导通,进入暂稳态 2 并开始放电。

第30页:多谐振荡器的周期

暂稳态 2 中电容放电,三要素为 vC(0) = 2VCC/3、vC(∞) = 0 V、τ放 = R2C;在 t2 时刻 vC = VCC/3,555 电路再次翻转。

(三)计算周期:T = T1 + T2,其中 T1 = (R1 + R2)C ln2,T2 = R2C ln2,占空比 q = T1/T,频率 f = 1/T。

第31页:占空比可调的多谐振荡器

(四)改进电路:占空比可调的多谐振荡器,T1 = R1C ln2,T2 = R2C ln2,T = (R1 + R2)C ln2。上述基本电路占空比始终大于 50% 且不可调。

例:用 CB555 设计多谐振荡器,要求 T = 1 s、3 V < vM < 5 V、占空比 q = 2/3。可选 VCC = 5 V,由 T = (R1 + 2R2)C ln2 且 q = 2/3 可求出 R1 = R2;选 C = 10 µF 代入求出 R2 = R1 = 48 kΩ。

电容选择原则:过大则漏电流大,过小则电阻太大,二者均可使周期不准。

第32页:非对称式多谐振荡器

(五)用门电路构成的多谐振荡器。1. 非对称式多谐振荡器。(1)工作原理:采用 CMOS 门,RF 使门 1 工作在转折区,输入有微小变化则输出变化剧烈,因此门 2 也工作在转折区,电容 C 引入正反馈使电路振荡。

设 t1 时刻 G1 输出低电平、G2 输出高电平,定为暂稳态 1;当 vI1 = VTH 时产生连锁反应,随之电路进入暂稳态 2。

第33页:非对称式振荡器的充放电

在暂稳态 2:vO1 = VDD、vO2 = 0,vI1 = VTH − VDD;在 t2 时刻进入暂稳态 1 的充电过程,三要素为 τ放 = RFC。

在 t3 时刻 vI1 = VTH 又发生连锁反应,进入暂稳态 1:τ充 = RFC,三要素为 vC(0) = VTH + VDD、vC(∞) = 0 等。

第34页:非对称式振荡器周期

(2)周期计算:T = T1 + T2。将三要素代入过渡过程公式即可求出 T1 和 T2,取 CMOS 门阈值 VTH = VDD/2 时得到 T1 = T2 ≈ 1.1 RFC,故 T ≈ 2.2 RFC。

用 TTL 门构成这种多谐振荡电路也可以,但分析较复杂。思考:若将 RP 短路会发生什么情况?

第35页:对称式多谐振荡器

2. 对称式多谐振荡器。(1)电路组成:由两个 TTL 反相器经电容交叉耦合而成,通常令 C1 = C2 = C、R1 = R2 = RF。为了使静态时反相器工作在转折区、具有较强的放大能力,应满足 ROFF < RF < RON 的条件。

第36页:对称式振荡器原理

(2)工作原理:假定接通电源后由于某种原因使 uI1 有微小正跳变,必然会引起正反馈过程,使 uO1 迅速跳变为低电平、uO2 迅速跳变为高电平,电路进入第一暂稳态。

此后 uO2 的高电平对 C1 充电使 uI2 升高,电容 C2 放电使 uI1 降低。由于充电时间常数小于放电时间常数,充电速度较快,uI2 首先上升到 G2 的阈值电压 VTH 并引起又一次正反馈。

第37页:对称式振荡器的振荡过程

正反馈使 uO2 迅速跳变为低电平、uO1 迅速跳变为高电平,电路进入第二暂稳态。此后 C1 放电、C2 充电,C2 充电使 uI1 上升,又引起一次正反馈过程,电路又回到第一暂稳态。这样周而复始,电路不停地在两个暂稳态之间振荡,输出端产生矩形脉冲。

第38页:对称式振荡器波形

本页给出对称式多谐振荡器的工作波形,展示两个反相器输入端 uI1、uI2 与输出端 uO1、uO2 的电压变化关系。

第39页:对称式振荡器的参数

(3)主要参数:矩形脉冲的振荡周期为 T ≈ 1.4 RFC。当取 RF = 1 kΩ、C = 100 pF ~ 100 µF 时,该电路的振荡频率可在几赫到几兆赫的范围内变化。

说明:源文件中电容下限写法为 I00 pF,按标准器件参数应为 100 pF,此处订正。

第40页:环形振荡器

3. 环形振荡器。(1)最简单的环形振荡器:利用集成门电路的传输延迟时间,将奇数个反相器首尾相连便可构成最简单的环形振荡器。该电路没有稳定状态,如此周而复始便产生自激振荡,振荡周期 T = 6 tpd。

第41页:RC 环形振荡器

(2)RC 环形振荡器:最简单的环形振荡器构成十分简单但并不实用,因为集成门电路的延迟时间 tpd 极短且振荡周期不便调节。

增加 RC 延迟环节即可组成 RC 环形振荡器,利用电容 C 的充放电改变 uI3 的电平来控制 G3 周期性地导通和截止,在输出端产生矩形脉冲。RS 是限流电阻(保护 G3),通常选 100 Ω 左右,因其阻值很小在分析时往往忽略。

第42页:RC 环形振荡器波形

本页给出 RC 环形振荡器的工作波形,电路的振荡周期为 T ≈ 2.2 RC。R 不能选得太大(一般 1 kΩ 左右),否则电路不能正常振荡。

第43页:CMOS 反相器多谐振荡器

(3)CMOS 反相器构成的多谐振荡器:R 的选择应使 G1 工作在电压传输特性的转折区。此时由于 uO1 即为 uI2,G2 也工作在电压传输特性的转折区,若 uI 有正向扰动必然引起下述正反馈过程。

第44页:CMOS 振荡器的暂稳态

正反馈使 uO1 迅速变成低电平而 uO2 迅速变成高电平,电路进入第一暂稳态。此时电容 C 通过 R 放电,然后 uO2 向 C 反向充电;随着放电与反向充电 uI 不断下降,达到 uI = VTH 时电路又产生一次正反馈过程,从而进入第二暂稳态,此时 uO1 通过 R 向电容 C 充电。

第45页:CMOS 振荡器波形

随着电容 C 的不断充电 uI 不断上升,当 uI ≥ VTH 时电路又迅速跳变为第一暂稳态。如此周而复始,电路不停地在两个暂稳态之间转换,输出矩形波。振荡周期为 T = 1.4 RC。

第46页:石英晶体多谐振荡器

4. 石英晶体多谐振荡器:构成是在对称式多谐振荡器的反馈回路中串入石英晶体。石英晶体电抗的频率特性中 f0 称为固有频率。

  • 特点:f0 的稳定度极高,可达 10−10 ~ 10−11,因此可构成高精度多谐振荡器,克服其他振荡器频率稳定度低、抗干扰能力差的缺点
  • 原理:只有振荡频率等于 f0 时晶体的阻抗为 0(最小),电路才能产生振荡,因此输出频率一定为 f0

用 TTL 或 CMOS 门都可构成石英晶体多谐振荡器。

第47页:脉冲电路自我检测题

练习。自我检测题(二):给出输出波形图;自我检测题(五):加大输出脉冲宽度可采取的方法是(3)加大 C,其他四种都不可——(1)加大 RD、(2)减小 R、(4)提高 VDD、(5)增加输入脉冲宽度。

第48页:脉冲电路习题答案

(六)为提高振荡频率可采取的措施是(2)减小电阻 R 值;不可采取的是(1)加大电容 C 容量、(3)提高电源电压。

【题 6.31】振荡频率:代入公式得 9.66 kHz;延迟时间为 11 s。

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