页数：51页文件大小：1.38 MB来源： 电工学ppt课件
本课件从半导体的导电特点讲起，说明PN结的形成与单向导电性，进而介绍半导体二极管的伏安特性与主要参数，讲解稳压管、光敏与发光二极管等特殊二极管，最后系统说明晶体管的结构、电流分配与特性曲线以及场效应管的工作原理。
本页为第一章常用半导体器件的目录页，列出本部分所包含的章节与内容框架。
第一节PN结及其单向导电性：本节依次讲解以下内容。
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一、半导体的导电特点1.半导体材料物质分为导体、半导体、绝缘体。
半导体是4价元素。半导体材料的特点：半导体的导电能力受光和热影响。
T↑导电能力↑光照↑导电能力↑纯净的半导体掺入杂质导电性会大大增强。
+4纯净的、具有晶体结构的半导体称为本征半导体。本征半导体中的载流子自由电子(－)空穴（+）2.本征半导体空穴与电子成对出现并可以复合。
*空穴的移动
3.杂质半导体N型半导体掺5价元素，如磷，自由电子数多于空穴数，自由电子数是多子。
P型半导体掺3价元素，如硼，空穴数多于自由电子数，空穴是多子。
N型半导体磷原子硅原子+N型硅表示+4+5+4+4硅或锗+少量磷N型半导体多余电子
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P型半导体硼原子P型硅表示+4+4+4+3硅原子硅或锗+少量硼P型半导体多余空穴
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4．扩散运动与漂移运动载流子由于浓度差异而形成运动叫扩散运动。
在电场作用下，载流子的定向运动叫漂移运动。
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1.PN结的形成二、PN结扩散运动空间电荷区削弱内电场漂移运动内电场动态平衡－－－－－－－－－－－－－－－－P内电场电荷区空间扩散运动漂移运动N
外电场方向与内电场方向相反空间电荷区(耗尽层)变薄扩散＞漂移导通电流很大,呈低阻态。
2. PN结的单向导电性－－－－－－－－－－－－－－－－PN内电场外电场加正向电压（正偏）P（+）N（－）少子形成的电流，可忽略。
外电场与内电场相同耗尽层加厚漂移＞扩散少子形成反向电流IR，很小，呈高阻态。
N－－－－－－－－－－－－－－－－P内电场外电场加反向电压（反偏）P（－）N（+）PN结正偏，导通；
PN结反偏，截止
第二节半导体二极管：本节依次讲解以下内容。
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一、半导体二极管的伏安特性+P区－阳极N区－阴极阳极阴极1.正向特性死区电压硅管0.5V锗管0.1V正向导通电压硅管0.7V锗管0.3VI/mAU/V反向击穿电压死区GeSi2.反向特性反向饱和电流很小，可视为开路；
反向电压过高，电流急增，二极管发生击穿。导通电压VDO
例1、如图，当E＝5V时，I＝5mA，则E=10V，I＝（）A. I＝10mA B.I> 10mAC.I＜10mA D.不确定EVDIB
O例2、如图，E＝5V，二极管正向压降忽略不计，画出uo波形。
EVDuiuo10ui/Vωtui<EVD截止uo=Eui>EVD导通uo=ui5uoωt5利用二极管的单向导电性可对输出信号起限幅作用。
例3、如图，E＝6V，二极管正向压降忽略不计，画出uo波形。
EVD1uiuo10ui/Vωt6EVD2R－6ui>E，VD1导通，VD2截止uo=E=6V－E<ui<E，VD1、VD2截止，uo=uiuoωt解：ui<－E，VD2导通，VD1截止uo=－E=－6V6OO
例4、二极管组成电路如图，设二极管导通电压为0.3V，试求输出电压UF。
+3VUF－12VR0VVD1VD23V> 0>－12VVD1率先导通，UF＝3V－0.3V＝2.7VVD2截止解：
第三节特殊二极管：本节依次讲解以下内容。
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例1、如图，已知UZ=10V，负载电压UL（）（Ａ）5Ｖ（Ｂ）10Ｖ（Ｃ）15Ｖ（Ｄ）20ＶAVS20V15kΩ5kΩUL稳压管的工作条件（１）必须工作在反向击穿状态。
（２）电路中应有限流电阻，以保证反向电流不超过允许范围。
例2、已知ui=6sinωt，UZ=3V，画输出波形。VSuiuo6ui/Vωt3uoωt3OO
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例3、图示电路中，稳压管VS1、VS2的稳压值分别为UZ1＝5V，UZ2＝7V，正向压降为0.7Ｖ，若输入电压Ui波形如图所示，试画出输出电压波形。
RRVS1VS2UiUoUit6V12V－2VUi经电阻分压UR＝Ui/2当UR<5V，VS1、VS2截止，Uo=UR7V>UR>5V，VS1反向导通，VS2截止，Uo=UZ1UR<－0.7V，VS1、VS2正向导通，Uo=－0.7VUot3V5V－0.7V解：
二、光敏二极管光敏二极管(或称光电二极管)是一种将光能转换成电流的器件。
光敏二极管的PN结接受光线照射时，会像热激发一样，可以成对地产生大量的电子和空穴，使半导体中少子的浓度提高。
这些载流子在反向偏置下可以产生漂移电流，使反向电流显著增加。
反向电流的大小与光照强度成正比。
VL三、发光二极管发光二极管是一种将电能转换为光能的半导体器件，简称为LED。
当LED正向导通时，由于电子与空穴的复合而以光的形式放出能量。
发光二极管的发光颜色取决于使用的材料。发光二极管只能工作在正向偏置状态，工作时电路中必须串接限流电阻。
第四节晶体管：本节依次讲解以下内容。
一、晶体管的基本结构和类型基区集电区发射区基极集电极发射极集电结发射结NPN型VT
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PNP型特点：发射区参杂浓度很大，基区薄且浓度低，集电结体积大。
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IEICIBRBRCEBECNNP发射区电子发射结正偏利于发射区发射电子基区集电结反偏利于集电区收集电子集电区2.电流分配少子的移动
IBRBEBICRCECIE基极电流很小的变化，将引起集电极电流一个很大的变化。
直流放大系数交流放大系数
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1.输入特性曲线三、晶体管特性曲线IB＝f(UBE)︳UCE=常数IB/μAUBE/VUCE=0UCE≥1发射结、集电结正偏，两个二极管正向并联。
集电结反偏，IB减小UCE> 1IB变化很小，与UCE= 1曲线重合。
2．输出特性曲线饱和区截止区放大区截止区IB≈0，IC≈0，UBE≤0发射结反偏，集电结反偏。
放大区IC＝βIB发射结正偏，集电结反偏。饱和区UCE≤UBE，发射结、集电结正偏。
IC/mAUCE/VIB＝0IB＝20μAIB＝40μAIB＝60μAIB＝80μAO
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集电极最大电流ICMIC<ICM集电极—发射极反向击穿电压UCEO基极开路，加在集电极和发射极间的最大允许工作电压。
UCE<UCEO集电极最大允许功耗PCMICUCE<PCM3．极限参数
例2：有三只晶体管，分别为锗管β＝150，ICBO＝2μA；
硅管β＝100，ICBO＝1μA；硅管β＝40，ICEO＝41μA；
试从β和温度稳定性选择一只最佳的管子。解：β值大，但ICBO也大，温度稳定性较差；
β值较大，ICBO＝1μA，ICEO＝101 μA；β值较小，ICEO＝41μA，ICBO＝1μA。
、ICBO相等，但的β较大，故较好。
第五节场效应晶体管：本节依次讲解以下内容。
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场效应晶体管是用输入回路的电场效应来控制半导体中的多数载流子，使流过半导体内的电流大小随电场强弱而变化，形成电压控制其导电的一种半导体器件。
与晶体管相比场效应晶体管更易于集成。场效应晶体管有两种:N沟道P沟道耗尽型增强型结型场效应晶体管绝缘栅型场效应晶体管
PN＋N＋GSDN区SiO2绝缘层源极栅极漏极金属铝P型衬底GSDBB一、N沟道增强型MOS管
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IDmAUDSUGSGSDRD特性曲线UGS＝0，ID＝0UGS>开启电压形成导电沟道ID随UGS的增加而增大漏极特性曲线可变电阻区夹断区恒流区ID/mAUDS/VUGS＝2VUGS＝5VUGS＝6V场效应管是一种电压控制电流的器件OV
转移特性曲线IDUGSUGS（th）开启电压固定一个UDS，ID和UGS的关系曲线，称为转移特性曲线。
IDO是UGS(th)/2时的ID值在一定的漏－源电压UDS下，使管子由不导通变为导通的临界栅源电压称为开启电压UGS(th）。
二、N沟道耗尽型MOS管PN+N+GSDGSDBB＋＋＋＋N型沟道耗尽型管子的栅源电压，在一定范围内正、负值均可控制漏极电流的大小。
耗尽型场效应管在制造时导电沟道就已形成
特性曲线ID(mA)UDS(V)UGS＝－0.8VUGS＝0VUGS＝0.2VOUGS（off）IDUGS夹断电压漏极特性曲线转移特性曲线当UGS达到一定负值时，N型导电沟道消失，ID= 0，称场效应晶体管处于夹断状态。
三、MOS管的主要参数及使用注意事项1．直流参数开启电压UGS（th）：在UDS为某一固定值时，形成ID所需要的最小|UGS|值。
夹断电压UGS（off）：在UDS为某一固定值时，使ID为某一微小电流（便于测量）所需要的UGS值。
饱和漏电流IDSS：指在UGS＝0、UDS＝10V时，使管子出现预夹断时的漏极电流。
直流输入电阻RGS（DC）：栅源电压和栅极电流的比值，一般大于109Ω。
3．交流参数低频跨导gm：在UGS为某一固定值时，ID的微小变化量和引起它变化的UGS微小变化量之间的比值，单位为西门子（S）极间电容:场效应晶体管的三个极之间均存在电容。
通常栅源电容CGS和栅漏电容CGD约为1~3pF，而漏源电容CDS约为0.1~1pF。
4.使用注意事项管子保存和使用不当时，感应电压过高极易造成管子击穿。
存放时应使三个电极短接。在焊接时，烙铁要有良好接地。
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