页数：33页文件大小：680.3 KB来源： 电工学ppt课件
本课件说明晶闸管的基本结构、导通与关断条件、伏安特性与主要参数，分析单相桥式半控整流电路在电阻性与电感性负载下的输出电压波形，介绍单结晶体管与集成触发电路的工作原理，最后讨论晶闸管的串并联均压均流措施与过电压过电流保护。
本页为第五章晶闸管电路及其应用的目录页，列出本部分所包含的章节与内容框架。
第一节晶闸管：本节依次讲解以下内容。
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晶闸管又称可控硅（SCR)（SiliconControlled Rectifier）是一种大功率半导体器件，它的出现使半导体器件由弱电领域扩展到强电领域。
晶闸管具有体积小、重量轻、无噪声、寿命长、容量大（正向平均电流达千安、正向耐压达数千伏）等特点。
螺旋式结构平板式结构
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一、基本结构P1P2N1N2四层半导体K（阴极）G（控制极）A（阳极）三个PN结AKG符号
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晶闸管不导通无论控制极G与阴极K之间是否加有电压，晶闸管均不能导通。
二、工作原理P1P2N1N2N1P2AGK控制极G和阴极K之间不加正向电压阳极A和阴极K加反向电压反偏反偏阳极A和阴极K加正向电压正偏正偏反偏控制极G和阴极K之间加正向电压正向电压足够大时，三个PN结都正偏，晶闸管导通。
KAGVT1VT2
KAGVT1VT2RLUGUAIGβ2IGβ2IGβ1正反馈两个晶体管进入饱和导通状态。
晶闸管导通后，UAK≈0.6～1.2V此时即使去掉控制极与阴极之间的电压，由于本身的正反馈作用晶闸管仍能维持导通。
控制极电压UG的作用仅仅是触发晶闸管的导通
晶闸管的导通条件为：①阳极和阴极间加正向电压。②控制极和阴极间加正向触发电压。
③阳极电流不小于维持电流。①阳极A加反向电压，或不加触发信号。
②晶闸管正向导通后，若令其关断，必须减小UA（或使UA反向），使晶闸管中电流小于维持电流。
晶闸管的截止条件为：
UAKIAIHINIG=0UBO导通URO三、伏安特性UIG1IG2IG增加导通电压1V左右正向折转电压反向击穿电压O
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第二节单相桥式半控整流电路：本节依次讲解以下内容。
一、电阻性负载桥式可控整流电路VH1VH2VD1VD2RLuou1.电路分析u正半周(０～π)a(＋)b(－)电流方向负半周(π～２π)a(－)b(＋)ab触发脉冲uG引入控制极VH1导通、VD2导通uo＝uVH2导通、VD1导通+－uo＝－u+－
2.工作波形ωtuωtuGωtuoωtuVT1OOOOπ2π3π
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3.参数计算整流输出电压平均值输出电流平均值二极管和晶闸管承受的最高反相电压为
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二、电感性负载桥式可控整流电路uVH1VH2VD1VD2VD3uoRLL加续流二极管VD3后电路工作情况以及负载上电压和电阻性负载类似。
整流器件不导通时，由于电感储能，经续流二极管，负载上的电流仍然存在。
感性负载上的电流接近水平的直线。
第三节触发电路：本节依次讲解以下内容。
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一、单结晶体管触发电路晶闸管由阻断变为导通的条件：在阳极和阴极间加上正向电压在控制极和阴极间加上触发信号触发信号的要求：触发脉冲要有足够的功率触发脉冲要有一定的宽度触发脉冲必须与主电路同步触发脉冲要有一定的相移范围
1.单结晶体管的结构和特性b2（第二基极）b1（第一基极）NPPN结e(发射极)eb2b1结构符号
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ieueUVUPIVIPO单结晶体管的伏安特性eb2b1ueUbbieb1接正、b2接负e与b1间呈高阻态当ue>ηUbb时e与b1间呈低阻态
UV、IV--谷点电压、电流维持单结管导通的最小电压、电流。
UP、IP--峰点电压、电流单结管由截止变导通所需发射极电压。
uE<UV时单结管截止uE>UP时单结管导通
2.单结晶体管的弛张振荡电路tuR1UVUPRR1CEuCuR1eb1b2uCtOO
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u1u2uZuCR2RRfxR1RWuWC3.同步振荡电路整流削波弛张振荡电路触发脉冲
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u2uZUZuWuR1TOOOtttuC改变电容C的充放电速度,可以改触发变脉冲周期T。
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二、集成触发电路1. KJ004型集成电路KJ004外部引线图123KJ00445678910111213141516正电源负相输出13、14脉冲列11、12脉冲宽比较同步输入地负电源锯齿波输出锯齿波斜率调节正相输出
工作电路同步电压锯齿波电压U9>0.7V时
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第四节晶闸管的串并联及其保护：本节依次讲解以下内容。
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一、晶闸管的串、并联1.晶闸管的并联应用晶闸管并联可以分流。
VH1VH2RR串电阻均流电路简单，但电阻消耗功率，对动态均流不起作用，只适用于小功率。
串电抗均流VH1VH2对静态、动态均流都起作用。晶闸管不宜直接并联，因特性不同容易造成分流不均，从而烧坏器件。
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2.晶闸管的串联应用晶闸管串联可以分压。晶闸管不宜直接串联，因特性不同容易造成分压不均，从而击穿器件。
通常在晶闸管两端并联电阻和阻容器件。
设置快速熔断器~FURFUFU在输出端设置过流继电器及快速开关整流触发脉冲相移保护利用过电流的信号，把触发脉冲移后，从而减小晶闸管的导通角或停止触发。
2.晶闸管的过电压保护晶闸管承受过电压的能力极差，电压超过其反向击穿电压时，即使时间极短，也容易损坏。
产生过电压的原因：电路中积聚的电磁能量消散不掉。通常采用阻容保护装置，利用电容吸收过压。
即将过电压的能量变成电场能量储存到电容中，然后由电阻消耗掉。
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