48 第二节核磁共振与化学位移.ppt

第1页：第二节 核磁共振与化学位移

第十章核磁共振波谱分析法一、核磁共振与化学位移二、影响化学位移的因素第二节核磁共振与化学位移

第2页：一、核磁共振与化学位移

一、核磁共振与化学位移理想化的、裸露的氢核；满足共振条件：ν0=γH0/ (2π)产生单一的吸收峰；实际上，氢核受周围不断运动着的电子影响。在外磁场作用下，运动着的电子产生相对于外磁场方向的感应磁场，起到屏蔽作用，使氢核实际受到的外磁场作用减小：H=（1-σ）H0σ：屏蔽常数。σ越大，屏蔽效应越大。ν0= [γ/ (2π) ]（1-σ）H0由于屏蔽作用的存在，氢核产生共振需要更大的外磁场强度（相对于裸露的氢核），来抵消屏蔽影响。

第3页：化学位移

化学位移：ν0= [γ/ (2π) ]（1-σ）H0由于屏蔽作用的存在，氢核产生共振需要更大的外磁场强度（相对于裸露的氢核），来抵消屏蔽影响。在有机化合物中，各种氢核周围的电子云密度不同（结构中不同位置）共振频率有差异，即引起共振吸收峰的位移，这种现象称为化学位移。

第4页：化学位移的表示方法

• 化学位移的表示方法1．位移的标准没有完全裸露的氢核，没有绝对的标准。相对标准：四甲基硅烷Si(CH3)4（TMS）（内标）位移常数δTMS=02．为什么用TMS作为基准?(1) 12个氢处于完全相同的化学环境，只产生一个尖峰；
• （2）屏蔽强烈，位移最大。与有机化合物中的质子峰不重迭；
• （3）化学惰性；易溶于有机溶剂；沸点低，易回收。

第5页：位移的表示方法与裸露的氢核相比

位移的表示方法与裸露的氢核相比，TMS的化学位移最大，但规定δTMS=0，其他种类氢核的位移为负值，负号不加。δ= [（ν样-νTMS) /νTMS] 106(ppm)δ小，屏蔽强，共振需要的磁场强度大，在高场出现，图右侧；δ大，屏蔽弱，共振需要的磁场强度小，在低场出现，图左侧；

第6页：常见结构单元化学位移范围

常见结构单元化学位移范围

第7页：二、影响化学位移的因素

二、影响化学位移的因素电负性与质子相连元素的电负性越强，吸电子作用越强，价电子偏离质子，屏蔽作用减弱，信号峰在低场出现。-CH3，δ=1.6~2.0，高场；-CH2I，δ=3.0 ~ 3.5,-O-H，-C-H，δ大δ小低场高场

第8页：二、影响化学位移的因素（续）

影响化学位移的因素2价电子产生诱导磁场，质子位于其磁力线上，与外磁场方向一致，去屏蔽。

第9页：二、影响化学位移的因素

影响化学位移的因素3价电子产生诱导磁场，质子位于其磁力线上，与外磁场方向一致，去屏蔽。

第10页：二、影响化学位移的因素（续）

影响化学位移的因素4苯环上的6个π电子产生较强的诱导磁场，质子位于其磁力线上，与外磁场方向一致，去屏蔽。

第11页：本节内容导航页

内容选择：•第1节核磁共振基本原理•第2节核磁共振与化学位移•第3节自旋偶合与自旋裂分•第4节谱图解析与结构确定结束